应用于:
半导体晶元光刻和高精度PCB板曝光等。以LED单波段或混合波段作为光源,采用了阵列光学镜片整形后,输出均匀的平行光组成面光源(矩形或者特定形状光斑),实现波长365nm的紫外光(313nm或者405nm、435nm混合光),光束垂直照射于半导体光刻机掩膜板进行芯片光曝光,光能利用率高,光强分布均匀。
规格及参数:
序号 |
项目 |
性能要求 |
1 |
型号 |
UVLED-365-6-400-WC/AC |
2 |
光源 |
LED |
3 |
工作波长 |
主波长365nm(可定制405nm、435nm或混合波段) |
4 |
照明尺寸 |
>160x160mm(可定制4寸--12寸曝光面积) |
5 |
照明不均匀性 |
<2% |
6 |
照明强度 |
>30mw/cm2 @365nm(风冷)/>100mw/cm2 @365nm(水冷) |
7 |
准直角 |
<2°(可定制) |
8 |
倾斜角 |
<0.3° |
9 |
工作距 |
200-400mm(可根据客户需求进行定制) |
10 |
外形尺寸 |
长宽高≤550*350*600mm |
11 |
能量调节 |
调节控制LED功率(本地或远程) |
12 |
能量检测 |
光路能量实时监测 |
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